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isolamento elettronico di temperatura elevata del wafer del piatto del substrato della ceramica 39W Si3n4

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: fatto in Cina

Marca: wuxi special ceramic

Termini di pagamento e di spedizione

Quantità di ordine minimo: 10p

Prezzo: us$1~us$100/P

Imballaggi particolari: cartone, di legno, scatola, pallet

Tempi di consegna: 30days

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 5000p/Month

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Dettagli del prodotto

Descrizione del prodotto

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                substrato d'isolamento della ceramica 39W, substrato di 39W Si3n4, substrato della ceramica di 39W Si3n4
                              

Materiale:	allumina, biossido di zirconio, Si3N4 ceramico	Caratteristica:	Alta durezza, ad alta resistenza, ad alta temperatura
Dimensione:	su misura	Luogo d'origine:	Jiangsu, Cina
Tipo:	Parti ceramiche	Nome:	Substrato ceramico
Forma:	su misura	Colore:	bianco puro/avorio
Applicazione:	Ceramico industriale, macchinario, elettronico, chimico	Temperatura di lavoro:	>800℃
Servizio di processo:	piegamento, tagliando, perforare, stridente, fresatura, perforazione, laser, CNC

Materiale:	allumina, biossido di zirconio, Si3N4 ceramico
Caratteristica:	Alta durezza, ad alta resistenza, ad alta temperatura
Dimensione:	su misura
Luogo d'origine:	Jiangsu, Cina
Tipo:	Parti ceramiche
Nome:	Substrato ceramico
Forma:	su misura
Colore:	bianco puro/avorio
Applicazione:	Ceramico industriale, macchinario, elettronico, chimico
Temperatura di lavoro:	>800℃
Servizio di processo:	piegamento, tagliando, perforare, stridente, fresatura, perforazione, laser, CNC

isolamento elettronico di temperatura elevata del wafer del piatto del substrato della ceramica 39W Si3n4

substrato d'isolamento ceramico sostenente elettronico

domanda di substrato ceramico

Industria di applicazione: Macchinario, fibra ottica, coltello, medico, alimento, petrolio ecc.

Applicazione specifica: tuffatore, asse ceramica, boccola a fibra ottica, troncone, macinazione, coltello ceramico, guida di scorrevole ceramica, tuffatore lavorato, coperture del telefono cellulare, cassa per orologi, lametta di taglio di capelli ecc.

isolamento elettronico di temperatura elevata del wafer del piatto del substrato della ceramica 39W Si3n4 0

strato della data

Nome	Substrato ceramico
Colore	Bianco (generalità)
Specifiche	Su misura
Accuratezza	±0.01
Densità	w
Durezza	La durezza di durezza HRA89 (durezza d'acciaio HRC60) Mohs di Rockwell del coltello è 9; HV1500-1700
Modulo di elasticità	380GPa
Resistenza alla flessione	300Mpa
Resistenza alla compressione	2500MPa
Punto di fusione	° 2050 C
Resistenza ad alta temperatura	° 1800 C
Conducibilità termica	39W/(m.K)
Coefficiente di espansione termica	8.6X10-6/°C
Forza di ripartizione (forza dell'isolamento)	15KV/mm
Resistività	1015/Ω.m

informazioni di società
Wuxi Co. ceramico speciale, srl pricipalmente produce l'allumina, il nitruro di silicio, biossido di zirconio, steatite, nitruro di boro, cordierite, prodotti della mullite, ampiamente usati nella saldatura del metallo, conduttore elettronico, meccanici, montanti, isolamento, prodotti chimici, strumento, tessuto, industria nucleare, campo aereo. Accettiamo i prodotti di prova secondo il disegno o il campione. Richiedono solitamente i 30 giorni per finire il prodotto di prova. I prodotti di massa richiedono solitamente i 30 giorni. Il pacchetto delle merci è cartone o PLT.It può essere negoziabile a vicenda.
Pricipalmente vendiamo le merci al gruppo di illuminazione di toshiba nel Giappone e lo scopo di Europe.Our è di consegnare le merci con alta qualità alla data di consegna rapida.

isolamento elettronico di temperatura elevata del wafer del piatto del substrato della ceramica 39W Si3n4 1

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