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Notizie aziendali su 110 W/(m·K) Sottostrati Si3N4 ad alta conduttività termica entrano in produzione in Cina
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110 W/(m·K) Sottostrati Si3N4 ad alta conduttività termica entrano in produzione in Cina

2025-01-06
Latest company news about 110 W/(m·K) Sottostrati Si3N4 ad alta conduttività termica entrano in produzione in Cina

Per anni, i substrati ceramici ad alta conducibilità termica e ad alta resistenza sono stati dominati da fornitori esteri, e i prodotti locali spesso presentavano prestazioni termiche e affidabilità inferiori, limitando lo spazio di aggiornamento dei moduli di potenza e dei sistemi e-drive nazionali.

L'ultima generazione di substrati ceramici Si₃N₄ di fabbricazione cinese ha raggiunto una conducibilità termica misurata di 110 W/(m·K) mantenendo al contempo una resistenza alla flessione superiore a 800 MPa, combinando “alte prestazioni termiche + elevata tenacità”. Questo riduce il divario con i prodotti importati di alta qualità e, in alcune applicazioni, consente il consolidamento di più dispositivi in un unico modulo.

Negli inverter dei motori EV, negli stadi di potenza delle stazioni di ricarica e nei sistemi di trazione ferroviaria, l'adozione di questi substrati può ridurre la temperatura di giunzione a parità di condizioni di raffreddamento o aumentare la densità di potenza a parità di temperatura di giunzione, consentendo progetti più compatti e affidabili.

Per i team di progettazione già limitati da colli di bottiglia termici ma riluttanti a complicare le strutture di raffreddamento, il passaggio a substrati Si₃N₄ ad alta conducibilità termica è spesso più conveniente rispetto all'aggiornamento delle piastre fredde o all'aumento del flusso d'aria.

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