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Notizie aziendali su AMB-Si₃N₄-Cu con legame con resistenza di 25 MPa apre una nuova era per l'imballaggio IGBT automobilistico
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AMB-Si₃N₄-Cu con legame con resistenza di 25 MPa apre una nuova era per l'imballaggio IGBT automobilistico

2025-01-14
Latest company news about AMB-Si₃N₄-Cu con legame con resistenza di 25 MPa apre una nuova era per l'imballaggio IGBT automobilistico

La brasatura attiva dei metalli (AMB) è la tecnologia chiave per il rivestimento del Cu su substrati ceramici nei moduli ad alta potenza,e la resistenza del legame ha un impatto diretto sull'affidabilità del modulo IGBT/SiC sotto ciclo termico e shock meccanico.

Ottimizzando i sistemi di metallizzazione e di riempimento, la resistenza del legame Si3N4Cu è stata aumentata a 25 MPa, circa 1,5 volte quella delle pile convenzionali di AlN4Cu.Ciò consente ai moduli con lo stesso spessore e layout di rame di resistere a carichi termici e meccanici più elevati.

Per gli inverter di tipo automobilistico, gli OBC e i convertitori DC/DC, una maggiore resistenza al legame non solo riduce il rischio di delaminazione dei pad, ma consente anche “un rame più sottile, confezioni più piccole, facilitare una maggiore densità di potenza e una disposizione più compatta sotto il cofano.

Durante le fasi di aggiornamento dei moduli, le soluzioni AMB Si3N4 dovrebbero essere testate in anticipo, con un confronto A/B dei cicli di potenza e delle vite di shock termico sotto layout identici per quantificare i guadagni di affidabilità.

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