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Notizie aziendali su Il pacchetto CTE-Matched Si₃N₄–SiC riduce del 90% i guasti dell'interfaccia E-Drive a 800 V
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Il pacchetto CTE-Matched Si₃N₄–SiC riduce del 90% i guasti dell'interfaccia E-Drive a 800 V

2026-01-12
Latest company news about Il pacchetto CTE-Matched Si₃N₄–SiC riduce del 90% i guasti dell'interfaccia E-Drive a 800 V

Sulle piattaforme a 800 V, i dispositivi SiC funzionano a temperature elevate e dI/dt elevati, amplificando significativamente lo stress termico alle interfacce del pacchetto e causando guasti precoci del modulo di alimentazione.

I substrati Si3N4 presentano un coefficiente di espansione termica di circa 3,2×10−6/°C, molto simile a quello del SiC a ~4,0×10−6/°C.I test di ciclo termico mostrano che la sostituzione dei substrati tradizionali con Si3N4 riduce di circa il 90% i fallimenti di soldering-crack e di interfaccia-delamination, estendendo notevolmente la durata di vita del ciclo di potenza.

Per i marchi di veicoli elettrici che spingono architetture a 800 V, this CTE matching at the material level reduces the need for aggressive derating and allows engineers to unlock more power margin in the same package size while maintaining reliability over the vehicle warranty period.

Quando si passa da 400 V a 800 V, non è sufficiente concentrarsi solo sui parametri del dispositivo SiC.affidabilità dell'interfaccia e prestazioni termiche valutate insieme.

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